| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 64.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 14.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 94.0 W |
| 零部件系列 | IRFZ48N |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 64.0 A |
| 上升时间 | 78.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.018ohm ，ID = 50 * A） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A)
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ48NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ48VPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 72A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ48NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
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