| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 48.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 零部件系列 | IRFZ44E |
| 输入电容 | 1.36 nF |
| 栅电荷 | 60.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 48.0 A |
| 上升时间 | 60.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
0.08 MByte
International Rectifier（国际整流器）
9 页 / 0.09 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 55V的，的Rds（on ） = 17.5mohm ，ID = 49A ） Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ44EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
