| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-220AB |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 55V |
| 连续漏极电流(Ids) | 29A |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.3 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.04 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.14 MByte
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.040ohm ，ID = 26A ） Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ34NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ34NPBF 晶体管
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ34NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
