| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -6.60 A |
| 封装 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 39.0 W |
| 零部件系列 | IRFU9120N |
| 漏源极电压(Vds) | -100 V |
| 漏源击穿电压 | -100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -6.60 A |
| 上升时间 | 47.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
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Intersil（英特矽尔）
5.6A ， 100V ， 0.600欧姆，P沟道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFU9120PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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