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IRFU9120NPBF
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IRFU9120NPBF 技术参数、封装参数

IRFU9120NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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IRFU9120 数据手册

Intersil(英特矽尔)
5.6A , 100V , 0.600欧姆,P沟道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFU9120PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
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