| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-263 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 40V |
| 连续漏极电流(Ids) | 250A |
N 通道功率 MOSFET，40V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFS7437PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V
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40V,1.8mΩ,250A,N沟道功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFS7437-7PPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFS7437TRL7PP 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.2 V
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