类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -6.60 A |
封装 | TO-252 |
极性 | P-Channel |
功耗 | 39.0 W |
零部件系列 | IRFR9120N |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | -100 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.60 A |
上升时间 | 47.0 ns |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
5.6A , 100V , 0.600欧姆,P沟道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFR9120NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 6.6A D-PAK, 整卷
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.6 A, -100 V, 0.48 ohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR9120NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFR9120PBF. 场效应管, MOSFET, P沟道
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFR9120NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.6 A, -100 V, 480 mohm, -10 V, -4 V
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