类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -8.80 A |
封装 | TO-252 |
极性 | P-Channel |
功耗 | 42.0 W |
漏源极电压(Vds) | -60.0 V |
漏源击穿电压 | -60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -8.80 A |
上升时间 | 68.0 ns |
VISHAY(威世)
11 页 / 1.11 MByte
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.28ohm ,ID = -8.8A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR9024NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 11A, D-PAK 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
Infineon(英飞凌)
HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFR9024PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8.8 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件