| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 55V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11A |
P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.28ohm ，ID = -8.8A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR9024NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 11A, D-PAK 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道
Infineon（英飞凌）
HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFR9024PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8.8 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
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