| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 100V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.4A |
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
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100V,9.4A,单N沟道HEXFET功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRFR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 100 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR120NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.1 A, 100 V, 210 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR120ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V
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