类型 | 描述 |
---|
封装 | REEL |
极性 | N-Channel |
漏源极电压(Vds) | 55V |
连续漏极电流(Ids) | 17A |
N 通道功率 MOSFET,55V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFR024NTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V 新
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFR024TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
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