类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 11.0 A |
封装 | TO-247-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 180 W |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
上升时间 | 37.0 ns |
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFPC50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
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VISHAY IRFPC50LCPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 2 V
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