| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | - |
| 漏源极电阻 | 75.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 214 W |
| 零部件系列 | IRFP250N |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V (min) |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 43.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
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200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFP250PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 85 mohm, 10 V, 4 V
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