类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO263AB |
漏源极电阻 | 40.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 193 W |
漏源极电压(Vds) | 100V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 43.0 A |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFP150NPBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFP150MPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.036 ohm, 10 V, 4 V 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP150NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, TO-247AC 新
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