| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 98.0 A |
| 封装 | TO-247 |
| 漏源极电阻 | 8.00 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 零部件系列 | IRFP064N |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 110 A |
| 上升时间 | 100 ns |
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.009ohm ，ID = 70 * A） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFP064NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFP064PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP064NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, TO-247AC 新
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