| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 70.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 漏源极电阻 | 14.0 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 230 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 70.0 A |
| 上升时间 | 160 ns |
N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.014ohm ，ID = 70 * A） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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