| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 72.0 A |
| 封装 | TO-247 |
| 漏源极电阻 | 12.0 mΩ (max) |
| 极性 | N-CH |
| 零部件系列 | IRFP054N |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 81.0 A |
| 上升时间 | 66.0 ns |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.014ohm ，ID = 70 * A） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
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N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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