| 类型 | 描述 |
|---|
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 6.60 A |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60.0 W |
| 漏源击穿电压 | 500 V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.60 A |
| 上升时间 | 35.0 ns |
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFIB7N50APBF 场效应管, MOSFET, N沟道
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 0.52ohm ，ID = 6.6A ） Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=6.6A)
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