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IRFDC20PBF 数据手册 - VISHAY(威世)
制造商:
VISHAY(威世)
分类:
MOS管
封装:
DIP
描述:
功率MOSFET Power MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFDC20PBF 数据手册
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IRFDC20PBF 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
320 mA
封装
DIP
极性
N-Channel
功耗
1.30 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
320 mA
上升时间
23.0 ns
IRFDC20PBF 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tube
IRFDC20PBF 符合标准
IRFDC20PBF 数据手册
IRFDC20PBF
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VISHAY(威世)
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