| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | DIP |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.30 W |
| 漏源极电压(Vds) | -100 V |
| 漏源击穿电压 | -100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -1.00 A |
| 上升时间 | 29.0 ns |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
1.0A ， 100V ， 0.6欧姆，P沟道功率MOSFET 1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD9120PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier（国际整流器）
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