| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 600 mA |
| 封装 | DIP |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.00 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 600 mA |
| 上升时间 | 17.0 ns |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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Intersil（英特矽尔）
0.6A ， 200V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 0.6A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD210PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
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