| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | DIP |
| 漏源极电阻 | 540 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.30 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 上升时间 | 16.0 ns |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
1A ， 100V ， 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET 1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD110PBF... 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
100V,0.54Ω,1A,N沟道功率MOSFET
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