| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 2.50 A |
| 封装 | DIP |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.30 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
| 上升时间 | 58.0 ns |
N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = 2.5A ） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFD024PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
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