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IRFD024 数据手册 - VISHAY(威世)
制造商:
VISHAY(威世)
分类:
MOS管
封装:
DIP
描述:
功率MOSFET Power MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFD024 数据手册
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IRFD024 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.50 A
封装
DIP
极性
N-Channel
功耗
1.30 W
漏源极电压(Vds)
60.0 V
漏源击穿电压
60.0 V (min)
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
上升时间
58.0 ns
IRFD024 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tube
IRFD024 符合标准
IRFD024 数据手册
IRFD024
其他数据使用手册
VISHAY(威世)
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示例:
STM32F103
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