| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.00 kV |
| 额定电流 | 3.10 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 5.00 kΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源极电压(Vds) | 1.00 kV |
| 漏源击穿电压 | 1.00 kV |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.10 A |
| 上升时间 | 25.0 ns |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
9 页 / 1.59 MByte
VISHAY（威世）
9 页 / 1.48 MByte
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 5.0ohm ，ID = 3.1A ） Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
