类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
极性 | N-Channel |
漏源极电压(Vds) | 900 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.70 A |
上升时间 | 21.0 ns |
VISHAY(威世)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 900V , RDS(ON) = 8.0ohm ,ID = 1.7A ) Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFBF20SPBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFBF20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
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