| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 4.10 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 12.0 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.10 A |
| 上升时间 | 33.0 ns |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = 4.1A ） Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
Vishay Semiconductor（威世）
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