| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.20 A |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
9 页 / 1.48 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 4.4ohm ，ID = 2.2A ） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFBC20SPBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFBC20PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 50W, TO-220AB
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
