| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 31.0 A |
| 零部件系列 | IRFB31N20D |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 31.0 A |
| 上升时间 | 38.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.082ohm ，ID = 31A ） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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