| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -6.70 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 20.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | -60.0 V |
| 漏源击穿电压 | -60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -6.70 A |
| 上升时间 | 63.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Design |
| 包装方式 | Tube |
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -6.7A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
Vishay Semiconductor（威世）
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
单 P 沟道 60 V 0.5 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
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