| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -200 V |
| 额定电流 | -1.80 A |
| 封装 | TO-220AB |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 20.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | -200 V |
| 漏源击穿电压 | -200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -1.80 A |
| 上升时间 | 15.0 ns |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -200V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = -1.8A ） Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF9610PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.75 A, -200 V, 3 ohm, -10 V, -4 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF9610SPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 20W, D2-PAK
VISHAY（威世）
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