| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -12.0 A |
| 封装 | TO-220AB |
| 漏源极电阻 | 300 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 88.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | -100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -12.0 A |
| 上升时间 | 52.0 ns |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
Intersil（英特矽尔）
12A ， 100V ， 0.300欧姆，P沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF9530PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9530NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9530NSPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 14 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9530NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
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