| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.8A |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7811AVPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7811WPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 9 mohm, 4.5 V, 1 V
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