| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A |
P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -30V ， RDS（ON） = 0.02ohm ） Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7416TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 10A
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7416PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 V
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