| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 12V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.2A |
P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7329PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
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