| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOIC |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.5A |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
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INFINEON IRF7313PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
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INFINEON IRF7313TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
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