| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 400 V |
| 额定电流 | 5.50 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 1.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 74.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 400 V |
| 漏源击穿电压 | 400 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.50 A |
| 上升时间 | 15.0 ns |
VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7303TRPBF. 场效应管, MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF730APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 4.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7309PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7309TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7306PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 100 mohm, -10 V, -1 V
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