| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.6A |
P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7306PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 100 mohm, -10 V, -1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7306TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.1 ohm, -10 V, -1 V
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