| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOIC |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.3A |
P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
第五代技术 Generation V Technology
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7304PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.3 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -700 mV
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7304TRPBF. 场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
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