| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.9A |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.050ohm ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7303TRPBF. 场效应管, MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7303PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.9 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7303PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
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