| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.2A |
N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.050ohm ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7301TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon（英飞凌）
N 沟道 20 V 2 W 20 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
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