| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 18.0 A |
| 漏源极电阻 | 150 mΩ (max) |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 零部件系列 | IRF640NS |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
| 上升时间 | 19.0 ns |
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
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Fairchild（飞兆/仙童）
18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF640NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
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