| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | REEL |
| 极性 | P-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 40V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.4A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
IRF5803TRPBF是一款HEXFET® 单P沟道功率MOSFET, 采用先进的技术, 可实现极低的导通电阻. 这些性能为设计人员提供了一款效率极高的器件, 可用于电池和负载管理应用. 非常适用于印刷电路板空间, 以及非常宝贵的应用. 独特的散热设计和低RDS (ON), 使电流处理能力增加了近300％. 是DC开关和负载开关的理想选择.
● 低门电荷
● 无卤素
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.19 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.07 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
6 页 / 1.89 MByte
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -40V ） Power MOSFET(Vdss=-40V)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF5803TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -40 V, 112 mohm, 10 V, -3 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
