| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 200V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.6A |
| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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INFINEON IRF5801TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2.2 ohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier（国际整流器）
IRF5801TRPBF N沟道MOSFET 600mA/0.6A SOT-163/TSOP-6 marking/标记 低漏源导通电阻
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