| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 36.0 A |
| 封装 | TO-220AB |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 92.0 W |
| 零部件系列 | IRF540Z |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 36.0 A |
| 上升时间 | 51.0 ns |
Infineon（英飞凌）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道功率MOSFET ， 27 A， 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新
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