| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 100V |
| 连续漏极电流(Ids) | 33A |
International Rectifier公司的IRF540NPBF为100V单路N通道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装. 此MOSFET具有极低的每硅片区面积电阻, 动态的dv / dt评级, 坚固耐用的快速切换以及全额定雪崩, 著名的功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用程序.
● 漏极至源极电压: 100V
● 栅-源电压：±20V
● 10V通导电阻Rds(on): 44m欧
● 25°C功率耗散Pd: 130W
● Vgs 10V和25°C持续漏电流Id: 33A
● 工作结温范围: -55°C至175°C
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 27 A， 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新
International Rectifier（国际整流器）
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