| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 14.0 A |
| 封装 | TO-220AB |
| 漏源极电阻 | 160 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 88.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
| 上升时间 | 34.0 ns |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF530NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF530NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, TO-220AB 新
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