类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 17.0 A |
封装 | D2PAK |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.80 W |
零部件系列 | IRF530NS |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 17.0 A |
上升时间 | 22.0 ns |
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.59 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF530NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF530NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, TO-220AB 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件