| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 9.20 A |
| 封装 | TO-220AB |
| 漏源极电阻 | 270 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.20 A |
| 上升时间 | 30.0 ns |
VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier（国际整流器）
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N沟道功率MOSFET ， 11 A， 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF520NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 9.7A, TO-220AB 新
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