类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 62.0 A |
封装 | TO-220-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 87.0 W |
零部件系列 | IRF3707 |
漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 62.0 A |
上升时间 | 78.0 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
包装方式 | Bulk |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON)最大值= 12.5mohm ,ID = 62A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=62A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3707ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 V
Infineon(英飞凌)
Infineon IRF3707ZS 系列 N沟道 MOSFET IRF3707ZSTRLPBF, 59 A, Vds=30 V, 2 + Tab引脚 D2PAK封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3707PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 87W, TO-220AB
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3707ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF3707SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 3 V
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